Hyperstone представляет контроллер флеш памяти F4 с возможностями максимальной выносливости и надежности для высокопроизводительных карт CompactFlash (CFC) и твердотельных дисков (SSD)

Hyperstone представил свою линейку контроллеров флеш памяти F4. Предназначенная для таких приложений, как карты CompactFlash™ (CFC), твердотельные диски (SSD), IDE диски на модулях (DoM), многопроцессорные блоки (MCP) и встроенная флеш или диски на платах, F4 вместе со встроенным программным обеспечением предоставит высочайшую надежность, выносливость и максимальную работоспособность для всех одноуровневых ячеек (SLC) и многих многоуровневых ячеек (MLC), являющихся основой флеш памяти.
Контроллер флеш памяти F4, в основе которого лежит 32-битное ядро RISC Hyperstone, включая расширенный набор инструкций, оптимизированных для обращения к флеш памяти, предоставляет следующие возможности:

• CompactFlash™ 3.0 и совместимость с требованиями до версии 4.1 включительно
• поддержка режима 6 PIO Fast ATA, режима 4 MDMA, режима 4 UDMA в соответствующем режиме IDE, (UDMA 5 возможно в заданных исполнениях плат)
• непрерывное считывание до 50 Мбит/с и произвольное считывание до 40 Мбит/с
• непрерывная запись более 40 Мбит/с с чередованием и случайной записью до 9 Мбит/с
• два канала Direct Flash Access (DFA) включая сектор буферизации и возможность чередования
• поддержка прямого подключения до 16 чипов флеш памяти (CE) – восемь на канал
• код корректировки ошибок (ECC) имеет возможность корректировки 4 символов в секторе 512 байт с дополнительным контролем при помощи циклического избыточного кода (CRC)
• скорость передачи данных на флеш память: до 80 Мбит/с
• скорость передачи данных на хост в режиме UDMA 4 до 66 Мбит/с в режиме PIO 6 или в режиме MDMA 4 до 25 Мбит/с
• возможна пользовательская оптимизация для определенного размера файлов
• так как встроенное программное обеспечение сохраняется в флеш памяти, все дальнейшие модули флеш-памяти могут поддерживаться простым обновлением ПО
• встроенный регулятор напряжения и датчик, снижая BoM до нескольких дополнительных конденсаторов и резисторов
• автоматическое снижение энергопотребления в течение периодов ожидания, экономия энергии, включая автоматическое включение и спящий режим с током Icc < 250 мкА

F4 обеспечивает безопасное управление при сбоях в подаче питания, надежное обнаружение ошибок, а также коррекцию ошибок и регулирование статического износа, удовлетворяющие самым требовательным приложениям относительно передачи данных и в случаях с перебоями в питании.

Hyperstone предлагает ASSP, включая встроенное программное обеспечение, комплект производства, оборудование для тестирования и разработки, а также справочные схемы.

“F4 на сегодняшний день является нашим самым высокопроизводительным контроллером твердотельных дисков и карт памяти. Главным образом, мы сосредоточены на высоконадежной флеш памяти SLC с функциями кэширования, к примеру, новая линейка Toshiba SLC. Первые тесты производительности уже достигли показателей последовательного считывания и записи свыше 40 Мбит/с”, сообщил Аксель Менер (Axel Mehnert), вице-президент по маркетингу и поддержке клиентов в Hyperstone, “но, в то же время, мы не снизили требуемых показателей производительности или работоспособности”.

“Просто подключая мост SATA или контроллер RAID, наши устройства F4 также могут использоваться для приложений промышленных твердотельных дисков, где надежность и сохранность данных являются ключевыми факторами”, прокомментировал Стефен Аллерт, вице-президент по продажам и поддержке области приложений Hyperstone. С нашим понятием встроенного программного обеспечения и запатентованными алгоритмами, совершенствуемыми в течение многих лет, пользователи не будут ощущать снижения сохранности данных или работоспособности при переходе на SATA”.

F4 будут доступны в различных комплектах и температурных диапазонах:

• F4 LAT05 – TQFP 100, 8 CEs, RoHS, от 0 до +85 °C
• F4-ILAT05 – TQFP 100, 8 CEs, RoHS, от -40 до +85 °C
• F4-LAT06 – TQFP 128, 16 CEs, RoHS, от 0 до +85 °C
• F4-ILAT06 – TQFP 128, 16 CEs, RoHS, от -40 до +85 °C
• F4-0ABD0 – KGD / Wafer, 16 Ces